半导体学报2006，Vol.27Issue(z1)：179-182,4.
用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料
Fabrication of Strained Silicon Using Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition Process
摘要
关键词
应变硅/锗硅虚衬底/减压化学气相沉积分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王敬,梁仁荣,徐阳,刘志弘,许军,钱佩信..用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料[J].半导体学报,2006,27(z1):179-182,4.基金项目
国家自然科学基金资助项目(批准号:60476017) （批准号:60476017）
