物理学报2003，Vol.52Issue(7)：1792-1796,5.
稀土(Tb,Gd)掺杂多孔硅的光致发光性能研究
The photoluminescence characterization of rare earths (Tb, Gd) embedded into porous silicon
摘要
关键词
多孔硅/稀土掺杂/光致发光分类
数理科学引用本文复制引用
彭爱华,谢二庆,姜宁,张志敏,李鹏,贺德衍..稀土(Tb,Gd)掺杂多孔硅的光致发光性能研究[J].物理学报,2003,52(7):1792-1796,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60176002)资助的课题. （批准号:60176002）
