半导体学报2008，Vol.29Issue(9)：1799-1803,5.
一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型
A SDD Model of Ultra High-Speed InP-Based SHBTs Including Improved Impact Ionization
摘要
关键词
碰撞电离/温度依赖/超高速InP基SHBT SDD模型分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
葛霁,金智,刘新宇,程伟,王显泰,陈高鹏,吴德馨..一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型[J].半导体学报,2008,29(9):1799-1803,5.基金项目
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902) （批准号:2002CB311902）
