物理学报2001，Vol.50Issue(9)：1800-1804,5.
用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导
The UV Photoconductivity of n-Type GaN Films Deposited by MOCVD
摘要
关键词
GaN/MOCVD/光电导/光响应分类
数理科学引用本文复制引用
张德恒,刘云燕,张德骏..用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导[J].物理学报,2001,50(9):1800-1804,5.基金项目
山东省自然科学基金(批准号:Y96A12016)资助的课题. （批准号:Y96A12016）
