|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|现代电子技术|温度自适应性DRAM刷新时钟电路

温度自适应性DRAM刷新时钟电路

曾锋 任明明 易茂祥 张昭勇

现代电子技术2009，Vol.32Issue(15)：181-183,3.
✕
现代电子技术2009，Vol.32Issue(15)：181-183,3.

温度自适应性DRAM刷新时钟电路

Temperature Adaptive Refresh Circuit of DRAM

曾锋 1任明明 1易茂祥 1张昭勇2

作者信息

  • 1. 合肥工业大学,安徽,合肥,230009
  • 2. 秉亮科技(苏州)有限公司,江苏,苏州,215021
  • 折叠

摘要

关键词

刷新/动态存储器/温度适应性/功耗

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

曾锋,任明明,易茂祥,张昭勇..温度自适应性DRAM刷新时钟电路[J].现代电子技术,2009,32(15):181-183,3.

基金项目

合肥工业大学科学研究发展基金(061006F) （061006F）

现代电子技术

OACSTPCD

1004-373X

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文