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离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片

李志锋 刘兴权 陈昌明 陆卫 沈学础 朱德彰 潘浩昌 胡军 李明乾

红外与毫米波学报2000，Vol.19Issue(3)：181-184,4.
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红外与毫米波学报2000，Vol.19Issue(3)：181-184,4.

离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片

ION IMPLANTATION FABRICATED INTEGRATED GaAs QUANTUM WELL MULTI-WAVELENGTH LIGHT EMITTING CHIP

李志锋 1刘兴权 2陈昌明 1陆卫 2沈学础 1朱德彰 2潘浩昌 1胡军 1李明乾2

作者信息

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
  • 2. 中国科学院上海原子核研究所,核分析技术开放实验室,上海,201800
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摘要

关键词

GaAs量子阱/离子注入/界面混合/光致发光

分类

数理科学

引用本文复制引用

李志锋,刘兴权,陈昌明,陆卫,沈学础,朱德彰,潘浩昌,胡军,李明乾..离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片[J].红外与毫米波学报,2000,19(3):181-184,4.

基金项目

国家自然科学基金(编号 69676014)和上海市启明星计划(编号 98QA14004)资助项目 （编号 69676014）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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