半导体学报2005，Vol.26Issue(9)：1813-1817,5.
深亚微米pMOS器件的HCI和NBTI耦合效应与物理机制
Couple Effects and Physical Mechanism of HCI and NBTI in Deep Submicron pMOSFET's
摘要
关键词
深亚微米pMOS器件/热载流子注入/负偏压温度不稳定性/界面态/氧化层固定正电荷分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘红侠,郝跃..深亚微米pMOS器件的HCI和NBTI耦合效应与物理机制[J].半导体学报,2005,26(9):1813-1817,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60206006),教育部重点科技研究(批准号:104172),国防重大预研基金(批准号:41308060305)和博士后基金(批准号:Q6312573)资助项目 （批准号:60206006）
