电子器件2008，Vol.31Issue(6)：1816-1818,3.
TLP应力下gg-NMOS瞬态特性分析
Transient Character Research of gg-NMOS under TLP Stress
王雯 1钱钦松 1孙伟锋1
作者信息
- 1. 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096
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摘要
关键词
静电放电/瞬态特性/传输线脉冲/过冲电压/过冲时间分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王雯,钱钦松,孙伟锋..TLP应力下gg-NMOS瞬态特性分析[J].电子器件,2008,31(6):1816-1818,3.
