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退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响

王颖 申德振 张吉英 刘益春 张振中 吕有明 范希武

液晶与显示2005,Vol.20Issue(1):18-21,4.
液晶与显示2005,Vol.20Issue(1):18-21,4.

退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响

Influence of Thermal Annealing on the Structural and Optical Properties of Si-rich Silicon Nitride Films

王颖 1申德振 1张吉英 1刘益春 2张振中 1吕有明 1范希武1

作者信息

  • 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林长春,130033
  • 2. 东北师范大学先进光电子功能材料研究中心,吉林长春,130024
  • 折叠

摘要

关键词

PECVD/光致发光/Si团簇/悬键

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王颖,申德振,张吉英,刘益春,张振中,吕有明,范希武..退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响[J].液晶与显示,2005,20(1):18-21,4.

基金项目

国家自然科学重点基金资助项目(No.60336020) (No.60336020)

"863"高技术资助项目(No.2001AA31112) (No.2001AA31112)

中科院创新工程资助项目 ()

国家自然科学基金资助项目(No.60278031, 60176003, 60376009) (No.60278031, 60176003, 60376009)

液晶与显示

OA北大核心CSCD

1007-2780

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