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关于MOSFET的双峰效应量化评估研究

陆玉娥 蒋卓勤 孔凡东 刘剑

现代电子技术2009,Vol.32Issue(5):182-183,186,3.
现代电子技术2009,Vol.32Issue(5):182-183,186,3.

关于MOSFET的双峰效应量化评估研究

Evaluation of Double Hump Phenomenon in MOSFET

陆玉娥 1蒋卓勤 1孔凡东 1刘剑1

作者信息

  • 1. 西安通信学院,陕西,西安,710106
  • 折叠

摘要

关键词

双峰效应/掺杂浓度/MOSFET/数字化评估

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陆玉娥,蒋卓勤,孔凡东,刘剑..关于MOSFET的双峰效应量化评估研究[J].现代电子技术,2009,32(5):182-183,186,3.

现代电子技术

OACSTPCD

1004-373X

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