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一种新型半绝缘键合SOI结构

谭开洲 冯建 刘勇 徐世六 杨谟华 李肇基 张正璠 刘玉奎 何开全

半导体学报2006，Vol.27Issue(10)：1828-1831,4.
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半导体学报2006，Vol.27Issue(10)：1828-1831,4.

一种新型半绝缘键合SOI结构

A Novel Semi-Insulation Bonding SOI Structure

谭开洲 1冯建 2刘勇 2徐世六 2杨谟华 2李肇基 1张正璠 1刘玉奎 2何开全2

作者信息

  • 1. 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054
  • 2. 模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060
  • 折叠

摘要

关键词

硅片键合/半绝缘SOI/多晶过渡层

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

谭开洲,冯建,刘勇,徐世六,杨谟华,李肇基,张正璠,刘玉奎,何开全..一种新型半绝缘键合SOI结构[J].半导体学报,2006,27(10):1828-1831,4.

基金项目

国家微电子预研资助项目(批准号:41308020413) （批准号:41308020413）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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