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InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器的激射特性

钱家骏 叶小玲 陈涌海 徐波 韩勤 王占国

半导体学报2005，Vol.26Issue(z1)：184-188,5.
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半导体学报2005，Vol.26Issue(z1)：184-188,5.

InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器的激射特性

Lasing Characteristics of InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers with Multistacked Dot Layer

钱家骏 1叶小玲 1陈涌海 1徐波 1韩勤 2王占国1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室,北京,100083
  • 2. 中国科学院半导体研究所光电子工艺中心,北京,100083
  • 折叠

摘要

关键词

应变自组装量子点/InAs/GaAs多层堆垛量子点/量子点激光器/MBE生长

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

钱家骏,叶小玲,陈涌海,徐波,韩勤,王占国..InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器的激射特性[J].半导体学报,2005,26(z1):184-188,5.

基金项目

国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068303),国家自然科学基金(批准号:60076024和90101002)和中国科学院"纳米科学与技术"(批准号:KJCX1-06-06)资助项目 （批准号:G2000068303）

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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