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用正电子湮没方法鉴别InP半导体中的缺陷

陈志权 胡新文 王少阶

半导体学报Issue(3)：185,1.
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半导体学报Issue(3)：185,1.

用正电子湮没方法鉴别InP半导体中的缺陷

陈志权 1胡新文 1王少阶1

作者信息

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摘要

关键词

磷化铟/正电子湮没/缺陷

分类

信息技术与安全科学

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陈志权,胡新文,王少阶..用正电子湮没方法鉴别InP半导体中的缺陷[J].半导体学报,1998,(3):185,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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