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SiOxNy薄膜高场电子陷阱和释放特性的研究
SiOxNy薄膜高场电子陷阱和释放特性的研究
杨炳良
刘百勇
郑耀宗
王曦
物理学报
Issue(11)：1855-1861,7.
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物理学报
Issue(11)
：1855-1861,7.
SiOxNy薄膜高场电子陷阱和释放特性的研究
杨炳良
1
刘百勇
1
郑耀宗
1
王曦
1
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摘要
关键词
热氮氧化硅
/
薄膜
/
电子陷阱
/
高场
分类
信息技术与安全科学
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杨炳良,刘百勇,郑耀宗,王曦..SiOxNy薄膜高场电子陷阱和释放特性的研究[J].物理学报,1991,(11):1855-1861,7.
物理学报
OA
CSCD
ISSN：
1000-3290
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