半导体学报2006，Vol.27Issue(10)：1861-1865,5.
p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器
A p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN Quantum-Well Ultraviolet Schottky Photodetector
游达 1许金通 1汤英文 1何政 1徐运华 1龚海梅1
作者信息
- 1. 中国科学院上海技术物理研究所、传感技术国家重点实验室,上海,200083
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摘要
关键词
AlGaN/二维空穴气/肖特基/极化效应分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
游达,许金通,汤英文,何政,徐运华,龚海梅..p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器[J].半导体学报,2006,27(10):1861-1865,5.
