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基于压痕功法对单晶硅压痕硬度的测量

周亮 姚英学 SHAHJADA A P

硅酸盐学报2007,Vol.35Issue(2):187-191,5.
硅酸盐学报2007,Vol.35Issue(2):187-191,5.

基于压痕功法对单晶硅压痕硬度的测量

MEASUREMENT OF INDENTATION HARDNESS OF SINGLE CRYSTAL SILICON BY THE WORK-OF-INDENTATION METHOD

周亮 1姚英学 2SHAHJADA A P1

作者信息

  • 1. 哈尔滨工业大学机电学院,哈尔滨,150001
  • 2. 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨,150001
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摘要

关键词

压痕功法/微纳米压痕/硬度/单晶硅

引用本文复制引用

周亮,姚英学,SHAHJADA A P..基于压痕功法对单晶硅压痕硬度的测量[J].硅酸盐学报,2007,35(2):187-191,5.

基金项目

哈尔滨工业大学校基金(HIT.2003.23) (HIT.2003.23)

哈尔滨工业大学博士科研启动基金资助项目. ()

硅酸盐学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0454-5648

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