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一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究

谭开洲 胡刚毅 杨谟华 徐世六 张正璠 刘玉奎 何开全 钟怡

物理学报2008，Vol.57Issue(3)：1872-1877,6.
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物理学报2008，Vol.57Issue(3)：1872-1877,6.

一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究

Study of conductive property for a N-VDMOS interface trap under X-ray radiation

谭开洲 1胡刚毅 2杨谟华 3徐世六 1张正璠 2刘玉奎 2何开全 2钟怡3

作者信息

  • 1. 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054
  • 2. 模拟集成电路国家重点实验室,重庆400060
  • 3. 中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆,400060
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摘要

关键词

界面陷阱/亚阈值电流/X射线辐射/VDMOS

分类

数理科学

引用本文复制引用

谭开洲,胡刚毅,杨谟华,徐世六,张正璠,刘玉奎,何开全,钟怡..一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究[J].物理学报,2008,57(3):1872-1877,6.

基金项目

国防预研究基金(批准号:41308020413)资助的课题. （批准号:41308020413）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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