物理学报2003，Vol.52Issue(1)：188-191,4.
NMOS器件不同剂量率γ射线辐射响应的理论预估
Predicting NMOS device radiation response at different dose rates in γ-ray environment
何宝平 1王桂珍 1周辉 1龚建成 1罗尹虹 1姜景和1
作者信息
- 1. 西北核技术研究所,西安市69信箱六室,710613
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摘要
关键词
辐射响应/退火/剂量率/失效剂量分类
数理科学引用本文复制引用
何宝平,王桂珍,周辉,龚建成,罗尹虹,姜景和..NMOS器件不同剂量率γ射线辐射响应的理论预估[J].物理学报,2003,52(1):188-191,4.
