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Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究

冯倩 郝跃 岳远征

物理学报2008，Vol.57Issue(3)：1886-1890,5.
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物理学报2008，Vol.57Issue(3)：1886-1890,5.

Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究

Study of AIGaN/GaN MOSHEMT device with Al2O3 insulating film

冯倩 1郝跃 2岳远征3

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安710071
  • 2. 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071
  • 折叠

摘要

关键词

Al2O3/ALD/GaN/MOSHEMT

分类

数理科学

引用本文复制引用

冯倩,郝跃,岳远征..Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究[J].物理学报,2008,57(3):1886-1890,5.

基金项目

国防预研项目(批准号:51308030102)和西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200616)资助的课题. （批准号:51308030102）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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