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气相色谱法测定薄膜中氢含量

吕惠云 陈克铭

半导体学报Issue(3)：189,1.
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半导体学报Issue(3)：189,1.

气相色谱法测定薄膜中氢含量

吕惠云 1陈克铭1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所，北京100083
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摘要

关键词

氮化硅膜/非晶硅膜/测量/气相色谱

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吕惠云,陈克铭..气相色谱法测定薄膜中氢含量[J].半导体学报,1993,(3):189,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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