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物理学报
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漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型
漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型
李琦
张波
李肇基
物理学报
2008，Vol.57
Issue(3)：1891-1896,6.
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物理学报
2008，Vol.57
Issue(3)
：1891-1896,6.
漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型
A new analytical model of breakdown voltage for the SD LDMOS
李琦
1
张波
1
李肇基
1
作者信息
1.
电子科技大学IC设计中心,成都,610054
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摘要
关键词
阶梯掺杂
/
模型
/
优化
/
调制
分类
数理科学
引用本文
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李琦,张波,李肇基..漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型[J].物理学报,2008,57(3):1891-1896,6.
物理学报
OA
北大核心
CSCD
CSTPCD
ISSN：
1000-3290
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