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新型IED的双口RAM接口电路设计

赵敏 韦宝泉

江西科学2007,Vol.25Issue(2):190-192,3.
江西科学2007,Vol.25Issue(2):190-192,3.

新型IED的双口RAM接口电路设计

Design of Dual-port RAM Interface in Novel IED

赵敏 1韦宝泉1

作者信息

  • 1. 华东交通大学电气与电子工程学院,江西,南昌,330013
  • 折叠

摘要

关键词

IED/双口RAM/驱动程序

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵敏,韦宝泉..新型IED的双口RAM接口电路设计[J].江西科学,2007,25(2):190-192,3.

江西科学

1001-3679

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