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耦合GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子特性

危书义 吴花蕊 夏从新 黄文登

液晶与显示2005,Vol.20Issue(3):190-194,5.
液晶与显示2005,Vol.20Issue(3):190-194,5.

耦合GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子特性

Exciton Confined in GaN/AlxGa1-xN Coupled Quantum Dots

危书义 1吴花蕊 1夏从新 1黄文登1

作者信息

  • 1. 河南师范大学,物理与信息工程学院,河南,新乡,453007
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摘要

关键词

耦合量子点/压电极化/自发极化/量子约束斯塔克效应/带间光跃迁

分类

数理科学

引用本文复制引用

危书义,吴花蕊,夏从新,黄文登..耦合GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子特性[J].液晶与显示,2005,20(3):190-194,5.

基金项目

河南省教育厅自然科学基础研究计划项目(No.2003140027 ()

2004140003) ()

河南省高校青年骨干教师资助计划 ()

液晶与显示

OA北大核心CSCD

1007-2780

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