半导体学报2005，Vol.26Issue(10)：1929-1933,5.
GaAs-AlxGa1-xAs双势垒结构中电子共振隧穿寿命
Electron Tunneling Lifetime Through a GaAs-AlxGa1-xAs Double Barriers Heterostructure
摘要
关键词
双势垒/共振隧穿/寿命分类
数理科学引用本文复制引用
宫箭,梁希侠,班士良..GaAs-AlxGa1-xAs双势垒结构中电子共振隧穿寿命[J].半导体学报,2005,26(10):1929-1933,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:10164003),内蒙古大学青年科技基金(批准号:ND0206)资助项目 （批准号:10164003）
