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位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响

杨立军 孟庆元 李成祥 钟康游 果立成

半导体学报2006，Vol.27Issue(11)：1940-1944,5.
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半导体学报2006，Vol.27Issue(11)：1940-1944,5.

位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响

Influence of Reconstruction Defects on Dislocation Motion in Si

杨立军 1孟庆元 1李成祥 1钟康游 1果立成2

作者信息

  • 1. 哈尔滨工业大学航天科学与力学系,哈尔滨,150001
  • 2. 哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所,哈尔滨,150001
  • 折叠

摘要

关键词

低温缓冲层/30°部分位错/弯结/重构缺陷/位错运动/分子动力学

分类

数理科学

引用本文复制引用

杨立军,孟庆元,李成祥,钟康游,果立成..位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响[J].半导体学报,2006,27(11):1940-1944,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:10502018) （批准号:10502018）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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