半导体学报2003，Vol.24Issue(2)：194-197,4.
具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS的耐压特性
Breakdown Characteristics of Novel SOI-LDMOS with ReducingField Electrode and U-Type Drift Region
罗卢杨 1方健 1罗萍 1李肇基1
作者信息
- 1. 电子科技大学IC设计中心,成都,610054
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摘要
关键词
SOI/LDMOS/RESURF分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
罗卢杨,方健,罗萍,李肇基..具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS的耐压特性[J].半导体学报,2003,24(2):194-197,4.
