大规模集成电路总剂量效应测试方法初探OA北大核心CSCDCSTPCD
Test methods of total dose effects in very large scale integrated circuits
提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法.在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理.给出了大规模集成电路:静态随机存取存储器(SRAM)、电擦除电编程只读存储器(EEPROM)、闪速存储器(FLASH ROM)和微处理器(CPU)的60Co γ总剂量效应实验的结果.
贺朝会;耿斌;何宝平;姚育娟;李永宏;彭宏论;林东生;周辉;陈雨生
西北核技术研究所,西安69信箱13分箱,西安,710024西北核技术研究所,西安69信箱13分箱,西安,710024西北核技术研究所,西安69信箱13分箱,西安,710024西北核技术研究所,西安69信箱13分箱,西安,710024西北核技术研究所,西安69信箱13分箱,西安,710024西北核技术研究所,西安69信箱13分箱,西安,710024西北核技术研究所,西安69信箱13分箱,西安,710024西北核技术研究所,西安69信箱13分箱,西安,710024西北核技术研究所,西安69信箱13分箱,西安,710024
信息技术与安全科学
测试方法总剂量效应大规模集成电路
《物理学报》 2004 (1)
194-199,6
国防预研基金(批准号:98J12.1.9)资助的课题.
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