半导体学报2005，Vol.26Issue(10)：1945-1948,4.
(NH4)2S硫化后ZnS/InP界面的电学特性
Electric Characterization of ZnS/InP Interface After (NH4) 2 S Sulfidation Treatment
庄春泉 1汤英文 1黄杨程 1吕衍秋 1龚海梅1
作者信息
- 1. 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
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摘要
关键词
InP/ZnS/硫化/MIS二极管分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
庄春泉,汤英文,黄杨程,吕衍秋,龚海梅..(NH4)2S硫化后ZnS/InP界面的电学特性[J].半导体学报,2005,26(10):1945-1948,4.
