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Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构

李翠云 朱华 莫春兰 江风益

半导体学报2006，Vol.27Issue(11)：1950-1954,5.
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半导体学报2006，Vol.27Issue(11)：1950-1954,5.

Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构

Microstructure of an InGaN/GaN Multiple Quantum Well LED on Yi (111) Substrate

李翠云 1朱华 2莫春兰 1江风益2

作者信息

  • 1. 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047
  • 2. 景德镇陶瓷学院,景德镇,333001
  • 折叠

摘要

关键词

GaN/Si衬底/LED/位错/TEM/DCXRD

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李翠云,朱华,莫春兰,江风益..Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构[J].半导体学报,2006,27(11):1950-1954,5.

基金项目

国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2003AA302160) （批准号:2003AA302160）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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