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半导体氮化铟(InN)的电学性质

潘葳 沈文忠 小川博司 郭其新

物理学进展2004，Vol.24Issue(2)：195-215,21.
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物理学进展2004，Vol.24Issue(2)：195-215,21.

半导体氮化铟(InN)的电学性质

ELECTRICAL PROPERTIES OF SEMICONDUCTOR InN

潘葳 1沈文忠 1小川博司 2郭其新2

作者信息

  • 1. 上海交通大学物理系,凝聚态光谱与光电子物理实验室上海市华山路1954号,上海,200030
  • 2. 佐贺大学理工学部电气与电子工程系,佐贺,840-8502,日本
  • 折叠

摘要

关键词

氮化铟(InN)/电学性质/综述/载流子浓度/迁移率/输运

分类

数理科学

引用本文复制引用

潘葳,沈文忠,小川博司,郭其新..半导体氮化铟(InN)的电学性质[J].物理学进展,2004,24(2):195-215,21.

基金项目

国家杰出青年基金(NSFC10125416)和教育部高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划 （NSFC10125416）

物理学进展

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-0542

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