ACTA PHYSICA SINICAIssue(12)：1956-1962,7.
掺碳P型GaAs和InGaAs的金属有机物分子束外延生长
齐鸣 1白樫淳一 1德光永辅 1野崎真次 1小长井诚 1高桥清 1罗晋生1
作者信息
摘要
关键词
P型半导体/掺碳/分子速外延/砷化镓分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
齐鸣,白樫淳一,德光永辅,野崎真次,小长井诚,高桥清,罗晋生..掺碳P型GaAs和InGaAs的金属有机物分子束外延生长[J].ACTA PHYSICA SINICA,1993,(12):1956-1962,7.
