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GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池中的高效率Ge底电池

王亮兴 涂洁磊 张忠卫 池卫英 彭冬生 陈超奇 陈鸣波

半导体学报2005,Vol.26Issue(z1):196-199,4.
半导体学报2005,Vol.26Issue(z1):196-199,4.

GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池中的高效率Ge底电池

High Efficiency Ge Bottom Cell for GaInP2/GaAs/Ge Three-Junction Tandem Solar Cell

王亮兴 1涂洁磊 1张忠卫 1池卫英 1彭冬生 1陈超奇 1陈鸣波1

作者信息

  • 1. 上海空间电源研究所,上海,200233
  • 折叠

摘要

关键词

Ge太阳电池/高效率/表面复合速率/器件工艺的改善

分类

能源科技

引用本文复制引用

王亮兴,涂洁磊,张忠卫,池卫英,彭冬生,陈超奇,陈鸣波..GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池中的高效率Ge底电池[J].半导体学报,2005,26(z1):196-199,4.

基金项目

国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:ZM200002B01) (批准号:ZM200002B01)

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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