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AlGaN/GaN槽栅HEMT模拟与实验研究

王冲 全思 张金凤 郝跃 冯倩 陈军峰

物理学报2009，Vol.58Issue(3)：1966-1970,5.
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物理学报2009，Vol.58Issue(3)：1966-1970,5.

AlGaN/GaN槽栅HEMT模拟与实验研究

Simulation and experimental investigation of recessed-gate AlGaN/GaN HEMT

王冲 1全思 2张金凤 1郝跃 2冯倩 1陈军峰2

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071
  • 2. 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
  • 折叠

摘要

关键词

高电子迁移率晶体管/AlGaN/GaN/槽栅器件

分类

数理科学

引用本文复制引用

王冲,全思,张金凤,郝跃,冯倩,陈军峰..AlGaN/GaN槽栅HEMT模拟与实验研究[J].物理学报,2009,58(3):1966-1970,5.

基金项目

国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033)资助的课题. （批准号:60736033）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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