传感技术学报2006，Vol.19Issue(5)：1967-1969,3.
氮化硅薄膜力学性能的研究及其在射频MEMS开关中的应用
Study on Mechanical Property of Silicon Nitride Thin Film and the Application in RF MEMS Switches
摘要
关键词
氮化硅薄膜/杨氏模量/MEMS/射频开关分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
于映,吴清鑫,罗仲梓..氮化硅薄膜力学性能的研究及其在射频MEMS开关中的应用[J].传感技术学报,2006,19(5):1967-1969,3.基金项目
国家自然科学基金资助(60301006) （60301006）
福建省科技重点项目资助(2005H029) （2005H029）
