半导体学报2005，Vol.26Issue(10)：1968-1974,7.
TLP应力下深亚微米GGNMOSFET特性的仿真
A Characterization Simulation of a Deep Sub-Micron GGNMOSFET Under TLP Stress
摘要
关键词
静电放电/传输线脉冲/氧化层电场分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
朱志炜,郝跃..TLP应力下深亚微米GGNMOSFET特性的仿真[J].半导体学报,2005,26(10):1968-1974,7.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60376024)和国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630)资助项目 （批准号:60376024）
