半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：197-199,3.
生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响
Effects of Growth Temperature on the InAlGaN Epilayer by RF-MBE
摘要
关键词
RF-MBE/铟铝镓氮/XRD/RBS/SEM分类
电子信息工程引用本文复制引用
王保柱,王晓亮,王晓燕,王新华,郭伦春,肖红领,王翠梅,冉军学,王军喜,刘宏新,李晋闽..生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响[J].半导体学报,2007,28(z1):197-199,3.基金项目
中国科学院知识创新工程重要方向(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002),国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目 （批准号:KGCX2-SW-107-1）
