半导体学报2006，Vol.27Issue(z1)：197-201,5.
超薄Ru/TaN双层薄膜作为无籽晶铜互连扩散阻挡层
Ultra-Thin Ru/TaN Bi-Layer as Diffusion Barrier to Seedless Copper Interconnect
摘要
关键词
钌/氮化钽/铜互连/扩散阻挡层分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
谭晶晶,周觅,陈韬,谢琦,茹国平,屈新萍..超薄Ru/TaN双层薄膜作为无籽晶铜互连扩散阻挡层[J].半导体学报,2006,27(z1):197-201,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60476010),上海市科技启明星基金(批准号:04QMX1407)及国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302703)资助项目 （批准号:60476010）
