半导体学报2006，Vol.27Issue(11)：1981-1983,3.
高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制
Fabrication of a High-Performance 1mm AlGaN/GaN HEMT on SiC Substrate
摘要
关键词
AlGaN/GaN/高电子迁移率晶体管/微波功率/功率增益分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
罗卫军,陈晓娟,李成瞻,刘新宇,和致经,魏珂,梁晓新,王晓亮..高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制[J].半导体学报,2006,27(11):1981-1983,3.基金项目
国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903,G20000683)及中国科学院重点创新(批准号:KGCX2-SW-107)资助项目 （批准号:2002CB311903,G20000683）
