半导体学报2007，Vol.28Issue(12)：1983-1987,5.
基于RT器件的三值与非门、或非门电路设计
A Design for Triple-Valued NAND and NOR Gates Based on Resonant Tunneling Devices
林弥 1吕伟锋 2孙玲玲1
作者信息
- 1. 杭州电子科技大学,电子信息学院,杭州,310018
- 2. 浙江大学信息与电子工程学系,杭州,310027
- 折叠
摘要
关键词
RT器件/多值逻辑/开关序列/与非门/或非门分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
林弥,吕伟锋,孙玲玲..基于RT器件的三值与非门、或非门电路设计[J].半导体学报,2007,28(12):1983-1987,5.
