半导体学报2006，Vol.27Issue(11)：1984-1988,5.
一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型
A New AlGaN/GaN HEMT Semiempirical DC Model
刘丹 1陈晓娟 1刘果果 1和致经 1刘新宇 1吴德馨1
作者信息
- 1. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
- 折叠
摘要
关键词
AlGaN/GaN HEMT/模型/膝点电压/衬底分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘丹,陈晓娟,刘果果,和致经,刘新宇,吴德馨..一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型[J].半导体学报,2006,27(11):1984-1988,5.
