半导体学报2008，Vol.29Issue(10)：1992-1997,6.
退火温度对生长在TiO2缓冲层上的ZnO薄膜的影响
Effect of Annealing Temperature on ZnO Thin Film Grown on a TiO2 Buffer Layer
徐林华 1李相银 1史林兴 1沈华2
作者信息
- 1. 南京理工大学应用物理系,南京,210094
- 2. 南京理工大学电光学院,南京,210094
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摘要
关键词
ZnO薄膜/TiO2缓冲层/晶化质量/光致发光分类
数理科学引用本文复制引用
徐林华,李相银,史林兴,沈华..退火温度对生长在TiO2缓冲层上的ZnO薄膜的影响[J].半导体学报,2008,29(10):1992-1997,6.
