半导体学报2006，Vol.27Issue(11)：1994-1999,6.
新型槽栅MOSFETs的特性
Characteristics of Groove-Gate MOSFETs
摘要
关键词
自对准/槽栅器件/短沟道效应/热载流子效应/拐角效应分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
曹艳荣,马晓华,郝跃,于磊..新型槽栅MOSFETs的特性[J].半导体学报,2006,27(11):1994-1999,6.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60376024)和国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630)资助项目 （批准号:60376024）
