半导体学报2008，Vol.29Issue(10)：1998-2002,5.
以金属为缓冲层在Si(111)上分子束外延GaN及其表征
Effect of a Metal Buffer Layer on GaN Grown on Si(111) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy with Ammonia
林郭强 1曾一平 1王晓亮 1刘宏新1
作者信息
- 1. 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,材料科学中心,北京,100083
- 折叠
摘要
关键词
GaN/分子束外延/Si(111)/缓冲层/金属分类
电子信息工程引用本文复制引用
林郭强,曾一平,王晓亮,刘宏新..以金属为缓冲层在Si(111)上分子束外延GaN及其表征[J].半导体学报,2008,29(10):1998-2002,5.
