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SiO2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响

徐静平 吴海平 黎沛涛 韩弼

半导体学报2004，Vol.25Issue(2)：200-205,6.
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半导体学报2004，Vol.25Issue(2)：200-205,6.

SiO2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响

Effect of SiO2/SiC Interface on Inversion Channel Electron Mobility of 4H-SiC n-MOSFET

徐静平 1吴海平 1黎沛涛 2韩弼1

作者信息

  • 1. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074
  • 2. 香港大学电机电子工程系,香港
  • 折叠

摘要

关键词

SiC/n-MOSFET/SiO2/SiC界面/迁移率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

徐静平,吴海平,黎沛涛,韩弼..SiO2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响[J].半导体学报,2004,25(2):200-205,6.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:60176030) （批准号:60176030）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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