半导体学报2008，Vol.29Issue(10)：2003-2008,6.
基于图形衬底的InAs/GaAs量子点和量子环液滴外延
Growth of InAs/GaAs Quantum Dots and Quantum Rings by Droplet Epitaxy Based on Patterned Substrate
摘要
关键词
液滴外延/图形衬底}量子点/量子环/分布规律分类
数理科学引用本文复制引用
赵暕,陈涌海,王占国,徐波..基于图形衬底的InAs/GaAs量子点和量子环液滴外延[J].半导体学报,2008,29(10):2003-2008,6.基金项目
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006cB604908)和国家自然科学基金(批准号:60625402)资助项目 （批准号:2006cB604908）
