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功率VDMOS器件的ESD瞬态模型

李泽宏 周春华 胡永贵 刘勇 张波 徐世六

半导体学报2008，Vol.29Issue(10)：2014-2017,4.
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半导体学报2008，Vol.29Issue(10)：2014-2017,4.

功率VDMOS器件的ESD瞬态模型

ESD Transient Model of Vertical DMOS Power Devices

李泽宏 1周春华 2胡永贵 1刘勇 2张波 2徐世六1

作者信息

  • 1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
  • 2. 中国电子科技集团公司第二十四研究所,模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060
  • 折叠

摘要

关键词

VDMOS/ESD/等效电路/初始条件/瞬态模型

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李泽宏,周春华,胡永贵,刘勇,张波,徐世六..功率VDMOS器件的ESD瞬态模型[J].半导体学报,2008,29(10):2014-2017,4.

基金项目

模拟集成电路国家重点实验室研究基金资助项目(批准号9140C904070705) （批准号9140C904070705）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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