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纳米多晶硅薄膜压力传感器制作及特性

赵晓锋 温殿忠

半导体学报2008,Vol.29Issue(10):2038-2042,5.
半导体学报2008,Vol.29Issue(10):2038-2042,5.

纳米多晶硅薄膜压力传感器制作及特性

Fabrication and Characteristics of a Nano-Polysilicon Thin Film Pressure Sensor

赵晓锋 1温殿忠1

作者信息

  • 1. 黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室,集成电路重点实验室,哈尔滨,150080
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摘要

关键词

纳米多晶硅薄膜/MEMS技术/压力传感器/温度系数

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵晓锋,温殿忠..纳米多晶硅薄膜压力传感器制作及特性[J].半导体学报,2008,29(10):2038-2042,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60876044),黑龙江省教育厅科技研究计划(批准号:11521215)和黑龙江省电子工程学院重点实验室基金(DZZD2006-12)资助项目 (批准号:60876044)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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