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500V/0.4ΩVDMOSFET导通电阻的优化设计

王中文 刘少鹏 卢雪梅

辽宁大学学报(自然科学版)2008,Vol.35Issue(3):204-205,2.
辽宁大学学报(自然科学版)2008,Vol.35Issue(3):204-205,2.

500V/0.4ΩVDMOSFET导通电阻的优化设计

The Optimal Design of the Ron in 500V/0.4Ω VDMOSFET

王中文 1刘少鹏 1卢雪梅1

作者信息

  • 1. 辽宁大学,物理学院,辽宁,沈阳,110036
  • 折叠

摘要

关键词

VDMOSFET/导通电阻/Mathematica软件

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王中文,刘少鹏,卢雪梅..500V/0.4ΩVDMOSFET导通电阻的优化设计[J].辽宁大学学报(自然科学版),2008,35(3):204-205,2.

基金项目

沈阳市科委(1032029-2-06) (1032029-2-06)

辽宁大学学报(自然科学版)

1000-5846

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