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受迫FET振荡器Volterra理论分析

陈如山 刘中

南京理工大学学报Issue(3)：205,1.
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南京理工大学学报Issue(3)：205,1.

受迫FET振荡器Volterra理论分析

陈如山 1刘中1

作者信息

  • 1. 南京理工大学电子工程与光电技术学院
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摘要

关键词

振荡器/注入锁相/Volterra级数/FET振荡器

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈如山,刘中..受迫FET振荡器Volterra理论分析[J].南京理工大学学报,1997,(3):205,1.

南京理工大学学报

1005-9830

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