电子学报2005，Vol.33Issue(2)：205-208,4.
AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管解析模型
Analytical Model for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
摘要
关键词
AlGaN/GaN/高电子迁移率晶体管/解析模型/极化效应/寄生源漏电阻分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杨燕,王平,郝跃,张进城,李培咸..AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管解析模型[J].电子学报,2005,33(2):205-208,4.基金项目
国家重大基础研究(973)项目 （973）
国防预先研究项目支持研究(No.41308060106) （No.41308060106）
